2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5
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2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

BPD-2STO5B-FW एक 2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 है जिसे 900nm से 1650nm तरंग दैर्ध्य बैंड में प्रकाश का पता लगाने के लिए इंजीनियर किया गया है। उन्नत प्रकाश संग्रह, उच्च प्रतिक्रियाशीलता (टाइप. 0.95A/W 1550nm पर), कम डार्क करंट और कम कैपेसिटेंस के लिए एक बड़े 2 मिमी सक्रिय क्षेत्र की विशेषता। एक मजबूत, भली भांति बंद करके सील किए गए TO5 मेटल कैन पैकेज में एक फ्लैट ऑप्टिकल विंडो के साथ रखा गया, फोटोडायोड -40°C से +85°C तक विस्तारित औद्योगिक तापमान रेंज पर विश्वसनीय दीर्घकालिक संचालन प्रदान करता है। ऑप्टिकल पावर मीटर, फाइबर ऑप्टिक परीक्षण उपकरण, ऑप्टिकल सेंसिंग सिस्टम और एनआईआर स्पेक्ट्रोस्कोपी उपकरणों के लिए आदर्श।

उत्पाद अवलोकन-2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स का 2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 (मॉडल: BPD-2STO5B-FW) एक उच्च प्रदर्शन वाला निकट-अवरक्त (NIR) फोटोडिटेक्टर है जो ऑप्टिकल पावर माप, फाइबर ऑप्टिक परीक्षण और माप, ऑप्टिकल सेंसिंग और स्पेक्ट्रोस्कोपी अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। एक विश्वसनीय पिन फोटोडायोड संरचना के आधार पर, यह 900 एनएम से 1650 एनएम तक घटना ऑप्टिकल संकेतों को उत्कृष्ट रैखिकता, उच्च प्रतिक्रियाशीलता और स्थिर दीर्घकालिक प्रदर्शन के साथ आनुपातिक फोटोवर्तमान में परिवर्तित करता है।

बड़ा पहचान क्षेत्र इसे विशेष रूप से फ्री-स्पेस ऑप्टिकल डिटेक्शन, कोलिमेटेड बीम माप और उन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है जहां कुशल ऑप्टिकल युग्मन और आसान संरेखण की आवश्यकता होती है।

कॉम्पैक्ट TO5 पैकेज डिज़ाइन ऑप्टिकल उपकरणों और फोटोनिक माप उपकरणों में आसान एकीकरण को सक्षम बनाता है।


मुख्य विशेषताएं-2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


· बड़ा सक्रिय क्षेत्र व्यास: बेहतर प्रकाश संग्रह और संरेखण सहनशीलता के लिए 2 मिमी

· विस्तृत वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया सीमा: 900 एनएम से 1650 एनएम

· उच्च प्रतिक्रियाशीलता: 1310nm पर 0.9A/W विशिष्ट, 1550nm पर 0.95A/W विशिष्ट

· उच्च संवेदनशीलता वाले कमजोर सिग्नल का पता लगाने के लिए कम डार्क करंट

· तेज प्रतिक्रिया और विस्तृत बैंडविड्थ के लिए कम जंक्शन कैपेसिटेंस

· उच्च विश्वसनीयता और दीर्घकालिक स्थिरता

·हर्मेटिक TO5 फ्लैट-विंडो मेटल पैकेज


विशिष्ट अनुप्रयोग-2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


·ऑप्टिकल पावर मीटर और ऑप्टिकल पावर मॉनिटरिंग मॉड्यूल

· फाइबर ऑप्टिक परीक्षण और माप उपकरण

·ऑप्टिकल सिग्नल डिटेक्शन और पावर मॉनिटरिंग सिस्टम

· निकट-अवरक्त (एनआईआर) स्पेक्ट्रोस्कोपी और विश्लेषणात्मक उपकरण

· लेजर पावर मॉनिटरिंग और नियंत्रण प्रणाली

· फ्री-स्पेस ऑप्टिकल डिटेक्शन और ऑप्टिकल सेंसिंग सिस्टम

·ऑप्टिकल एटेन्यूएटर अंशांकन और लक्षण वर्णन

· फोटोनिक्स अनुसंधान और प्रयोगशाला उपकरणीकरण


तकनीकी विशिष्टताएँ-2मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


पूर्ण अधिकतम रेटिंग (टीसी = 25°C)

पैरामीटर

प्रतीक

रेटिंग

इकाई

रिवर्स वोल्टेज

वीआरमैक्स

20

V

ऑपरेटिंग केस तापमान

शीर्ष

-40 ~ +85

डिग्री सेल्सियस

भंडारण तापमान

टी.एस.टी

-55 ~ +120

डिग्री सेल्सियस

 

इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल विशेषताएँ (TC = 25°C)

पैरामीटर

प्रतीक

परीक्षण की स्थिति

न्यूनतम.

प्रकार.

अधिकतम.

इकाई

सक्रिय क्षेत्र व्यास

φ

-

-

2

-

मिमी

वर्णक्रमीय श्रेणी

λ

-

900

-

1650

एनएम

उत्तरदायित्व @ 1310एनएम

R

वीआर = 0V

0.85

0.9

-

ए/डब्ल्यू

उत्तरदायित्व @ 1550एनएम

R

वीआर = 0V

-

0.95

-

ए/डब्ल्यू

ऑपरेटिंग रिवर्स वोल्टेज

वी.आर

-

-

-

-5

V

डार्क करेंट

पहचान

वीआर = -5वी

-

2

10

ना

समाई

C

वीआर = -5 वी, एफ = 1 मेगाहर्ट्ज

-

160

230

पीएफ

C

वीआर = 0 वी, एफ = 1 मेगाहर्ट्ज

-

400

600


बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स 2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड क्यों चुनें?


· लगातार प्रदर्शन और विश्वसनीयता

· सख्त गुणवत्ता नियंत्रण

· प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण

· लचीला MOQ - छोटी आर एंड डी मात्रा और वॉल्यूम उत्पादन ऑर्डर दोनों का समर्थन करता है

· पूर्ण ट्रैकिंग के साथ डीएचएल/यूपीएस/फेडएक्स के माध्यम से अंतर्राष्ट्रीय शिपिंग


पैकेज आयाम और पिन परिभाषा-2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5



ऑर्डरिंग जानकारी-2mm InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


मॉडल नामकरण

बीपीडी - एक्स एक्स से एक्सएक्स - एक्स - एक्स

उदाहरण: BPD-2STO5B-FW

मैदान

कोड

विवरण

उत्पाद शृंखला

बीपीडी

बॉक्स फोटोडायोड श्रृंखला

सक्रिय क्षेत्र का आकार

2एस

2S = 2mm व्यास (1S=1mm, 3S=3mm, 5S=5mm)

पैकेज प्रकार

TO5

TO5 = TO5 पैकेज (TO46=TO46)

पिन प्रकार

B

बी = बी टाइप पिन-आउट

विंडो प्रकार

परिवार कल्याण

एफडब्ल्यू = सपाट खिड़की


अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (FAQ)-2mm InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


प्रश्न: 1 मिमी और 2 मिमी सक्रिय क्षेत्र फोटोडायोड के बीच क्या अंतर है?

उ: दोनों उपकरणों के बीच मुख्य अंतर उनके सक्रिय क्षेत्रों का आकार है।

2 मिमी InGaAs PD में एक बड़ा प्रकाश संग्रह क्षेत्र और बेहतर संरेखण सहनशीलता है, जो इसे फ्री-स्पेस ऑप्टिकल डिटेक्शन और बड़े बीम व्यास वाले अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है।

1 मिमी पीडी में आमतौर पर कम जंक्शन कैपेसिटेंस होता है, जो उच्च बैंडविड्थ और तेज़ क्षणिक प्रतिक्रिया को सक्षम बनाता है।

डिवाइस का चयन प्रकाश संग्रह दक्षता, संरेखण सहनशीलता और प्रतिक्रिया गति सहित प्रमुख अनुप्रयोग आवश्यकताओं पर आधारित होना चाहिए।

प्रश्न: मुझे कौन सा रिवर्स वोल्टेज लगाना चाहिए?

ए: इस फोटोडायोड के लिए अनुशंसित ऑपरेटिंग रिवर्स वोल्टेज आमतौर पर -5V है। रिवर्स बायस लगाने से जंक्शन कैपेसिटेंस कम हो जाता है और कमी क्षेत्र बढ़ जाता है, जो बैंडविड्थ और वाहक संग्रह दक्षता में सुधार करने में मदद करता है।

हालाँकि, अत्यधिक रिवर्स वोल्टेज से डार्क करंट और शोर बढ़ सकता है। अधिकांश अनुप्रयोगों के लिए, -5V गति, संवेदनशीलता और शोर प्रदर्शन के बीच एक अच्छा संतुलन प्रदान करता है।

प्रश्न: क्या इस फोटोडायोड का उपयोग 1550nm अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है?

उत्तर: हाँ. BPD-2STO5B-FW की वर्णक्रमीय सीमा 900-1650nm है और यह 1550nm पर उच्च प्रतिक्रिया (0.95A/W विशिष्ट) प्रदान करता है, जो इसे C-बैंड ऑप्टिकल संचार और सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।

प्रश्न: क्या TO5 पैकेज भली भांति बंद करके सील किया गया है?

उत्तर: हां, TO5 पैकेज को धातु के कैन और सपाट कांच की खिड़की से भली भांति बंद करके सील किया गया है, जो नमी, धूल और पर्यावरणीय दूषित पदार्थों से सुरक्षा प्रदान करता है। यह विभिन्न वातावरणों में विश्वसनीय दीर्घकालिक संचालन सुनिश्चित करता है।

प्रश्न: न्यूनतम ऑर्डर मात्रा (एमओक्यू) क्या है?

उत्तर: 2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 के लिए MOQ 1 इकाई है। हम लचीली ऑर्डर मात्रा का समर्थन करते हैं। मानक मॉडलों के लिए, हम अनुसंधान एवं विकास के लिए केवल कुछ टुकड़ों से लेकर बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए हजारों इकाइयों तक प्रोटोटाइप की आपूर्ति कर सकते हैं। अपनी आवश्यक मात्रा पर विशिष्ट मूल्य निर्धारण के लिए हमसे संपर्क करें।

प्रश्न: क्या आप डेटाशीट समर्थन प्रदान करते हैं?

उत्तर: हाँ, पूर्ण डेटाशीट डाउनलोड के लिए उपलब्ध है।


डेटाशीट-2mm InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


डेटा शीट


लीड समय-2मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


· मानक इकाइयाँ (स्टॉक में मौजूद मॉडल): 3~5 कार्य दिवस

· मानक उत्पादन: 10~15 कार्य दिवस

· वॉल्यूम ऑर्डर: कृपया उत्पादन कार्यक्रम के लिए संपर्क करें

· अंतरराष्ट्रीय शिपिंग: ~5 कार्य दिवस (डीएचएल/यूपीएस/फेडएक्स एक्सप्रेस)

· त्वरित सेवा: अनुरोध पर उपलब्ध

ऑपरेशन नोट्स और हैंडलिंग-2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5


· फोटोडायोड इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) संवेदनशील उपकरण हैं। हैंडलिंग के दौरान हमेशा उचित ईएसडी सुरक्षा प्रक्रियाओं का पालन किया जाना चाहिए।

· संदूषण और संभावित ईएसडी क्षति को रोकने के लिए लीड और ऑप्टिकल विंडो को सीधे नंगी उंगलियों से छूने से बचें।

· इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज क्षति के जोखिम को कम करने के लिए अप्रयुक्त उपकरणों को ईएसडी-सुरक्षित पैकेजिंग या प्रवाहकीय ट्रे में रखें।

· डेटाशीट में निर्दिष्ट पूर्ण अधिकतम रेटिंग से अधिक न हो

· यदि संदूषण होता है, तो आइसोप्रोपिल अल्कोहल (आईपीए) और एक लिंट-फ्री स्वाब का उपयोग करके ऑप्टिकल विंडो को सावधानीपूर्वक साफ करें।

· ऑपरेशन के दौरान सही ध्रुवता का ध्यान रखें। गलत पूर्वाग्रह ध्रुवता के परिणामस्वरूप अनुचित संचालन हो सकता है और अत्यधिक आगे की वर्तमान स्थितियों के तहत स्थायी क्षति हो सकती है।

 

हॉट टैग: चीन 2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 निर्माता, आपूर्तिकर्ता, फैक्टरी
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  • पता

    कमरा 901, बिल्डिंग ए, रोंगचाओ न्यू एरा प्लाजा, नंबर 3 लैनकिंग 1 रोड, लुहु समुदाय, गुआनहु उपजिला, लोंगहुआ जिला, शेन्ज़ेन, 518110, चीन

  • टेलीफोन

    +86-13322933691

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