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5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5
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5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स, एक पेशेवर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक घटक निर्माता और आपूर्तिकर्ता, 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 (मॉडल: BPD-5STO5B-FW) प्रदान करता है। अधिकतम प्रकाश संग्रह के लिए एक बड़ा 5 मिमी सक्रिय क्षेत्र, 900nm से 1650nm तक विस्तृत वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया, उच्च प्रतिक्रियाशीलता, कम डार्क करंट और एक हर्मेटिक TO5 फ्लैट-विंडो मेटल पैकेज की विशेषता। बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स उपकरण उत्पादन कार्यक्रमों के लिए दीर्घकालिक आपूर्ति प्रदान करता है।

उत्पाद अवलोकन - 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स का BPD-5STO5B-FW एक फ्लैट विंडो के साथ TO5 हर्मेटिक पैकेज में 5 मिमी सक्रिय-क्षेत्र InGaAs पिन फोटोडायोड है। इसकी 900 -1650nm वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया सामान्य निकट-अवरक्त संवेदन और स्पेक्ट्रोस्कोपी तरंग दैर्ध्य को कवर करती है। बड़ा 5 मिमी सक्रिय क्षेत्र बड़े या भिन्न बीम के लिए उच्च ऑप्टिकल संग्रह क्षमता और संरेखण सहिष्णुता प्रदान करता है, जो इसे मुक्त-स्थान ऑप्टिकल पहचान, पावर माप और एनआईआर सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।

प्रमुख विशेषताएँ - 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

· बड़ा सक्रिय क्षेत्र व्यास: 5 मिमी

· विस्तृत वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया सीमा: 900 एनएम से 1650 एनएम

· उच्च प्रतिक्रियाशीलता: 1310एनएम पर 0.9ए/डब्ल्यू टाइपिका एल; 1550nm पर 0.95A/W विशिष्ट

· कम गहरा करंट

·हर्मेटिक TO5 फ्लैट-विंडो मेटल पैकेज

· मुक्त-अंतरिक्ष ऑप्टिकल पहचान और बड़े-बीम पावर माप के लिए उपयुक्त

विशिष्ट अनुप्रयोग - 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

·ऑप्टिकल पावर मीटर और हैंडहेल्ड ऑप्टिकल पावर माप उपकरण

·ऑप्टिकल पावर मॉनिटरिंग मॉड्यूल और ऑप्टिकल उपकरण में अंतर्निहित पावर मॉनिटरिंग

· फाइबर ऑप्टिक संचार परीक्षण और माप उपकरण

· बड़े या अपसारी बीम के साथ फ्री-स्पेस ऑप्टिकल डिटेक्शन और ऑप्टिकल सेंसिंग सिस्टम

· 900 -1650 एनएम रेंज में निकट-अवरक्त (एनआईआर) स्पेक्ट्रोस्कोपी और विश्लेषणात्मक उपकरण

·ऑप्टिकल एटेन्यूएटर अंशांकन और ऑप्टिकल घटक लक्षण वर्णन

· फोटोनिक्स अनुसंधान और प्रयोगशाला ऑप्टिकल माप उपकरण

· ऑप्टिकल परीक्षण उपकरण, फाइबर ऑप्टिक उपकरण और औद्योगिक ऑप्टिकल सिस्टम में OEM एकीकरण

उत्पाद विशिष्टताएं - 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

पूर्ण अधिकतम रेटिंग (टीसी = 25°C)

पैरामीटर

प्रतीक

रेटिंग

इकाई

रिवर्स वोल्टेज

वीआरमैक्स

5

V

ऑपरेटिंग केस तापमान

शीर्ष

-40 ~ +85

डिग्री सेल्सियस

भंडारण तापमान

टी.एस.टी

-55 ~ +120

डिग्री सेल्सियस

 

इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल विशेषताएँ (TC = 25°C)

पैरामीटर

प्रतीक

परीक्षण की स्थिति

न्यूनतम.

प्रकार.

अधिकतम.

इकाई

सक्रिय क्षेत्र व्यास

φ

-

-

5

-

मिमी

वर्णक्रमीय श्रेणी

λ

-

900

-

1650

एनएम

उत्तरदायित्व @ 1310एनएम

R

वीआर = 0V

0.85

0.9

-

ए/डब्ल्यू

उत्तरदायित्व @ 1550एनएम

R

वीआर = 0V

-

0.95

-

ए/डब्ल्यू

ऑपरेटिंग रिवर्स वोल्टेज

वी.आर

वीआर = -5वी

-

-

-5

V

डार्क करेंट

पहचान

वीआर = -5वी

-

2

10

ना

जंक्शन कैपेसिटेंस

C

वीआर = -5 वी, एफ = 1 मेगाहर्ट्ज

-

160

230

पीएफ

जंक्शन कैपेसिटेंस

C

वीआर = 0 वी, एफ = 1 मेगाहर्ट्ज

-

400

600

पीएफ

पैकेज आयाम और पिन परिभाषा - 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

 

ऑर्डरिंग जानकारी - 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5

मॉडल नामकरण

बीपीडी - एक्स एक्स से एक्सएक्स - एक्स - एक्स

उदाहरण: BPD-5STO5B-FW

 

मैदान

कोड

विवरण

उत्पाद शृंखला

बीपीडी

बॉक्स फोटोडायोड श्रृंखला

सक्रिय क्षेत्र का आकार

5एस

5S = 5mm व्यास (1S=1mm, 2S=2mm, 3S=3mm, 5S=5mm)

पैकेज प्रकार

TO5

TO5 = TO5 पैकेज (TO46=TO46)

पिन प्रकार

B

बी = बी टाइप पिन-आउट

विंडो प्रकार

परिवार कल्याण

एफडब्ल्यू = फ्लैट विंडो (बीएल = बॉल लेंस / गोलाकार लेंस)

डेटा शीट

डेटा शीट

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (FAQ)

प्रश्न: 5 मिमी, 3 मिमी, 2 मिमी और 1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड के बीच क्या अंतर है?

ए: प्राथमिक अंतर सक्रिय क्षेत्र व्यास है, जो ऑप्टिकल संग्रह क्षमता, संरेखण सहिष्णुता और जंक्शन कैपेसिटेंस (और इसलिए बैंडविड्थ) को प्रभावित करता है। 5 मिमी डिवाइस सबसे बड़ा सक्रिय क्षेत्र और अधिक संरेखण सहिष्णुता प्रदान करता है, जो इसे मुक्त-स्थान का पता लगाने, बड़े या भिन्न बीम और ऑप्टिकल पावर माप के लिए उपयुक्त बनाता है जहां सटीक संरेखण अधिक कठिन होता है। हालाँकि, इसके बड़े सक्रिय क्षेत्र के परिणामस्वरूप उच्च जंक्शन कैपेसिटेंस (-5V पर विशिष्ट 160pF) होता है, जिससे छोटे क्षेत्र वाले उपकरणों की तुलना में इसकी बैंडविड्थ सीमित हो जाती है। 3 मिमी और 2 मिमी डिवाइस ऑप्टिकल संग्रह क्षमता और बैंडविड्थ के बीच संतुलन प्रदान करते हैं, जबकि 1 मिमी डिवाइस आम तौर पर कम कैपेसिटेंस और तेज़ प्रतिक्रिया प्रदान करता है लेकिन अधिक सटीक ऑप्टिकल संरेखण की आवश्यकता होती है। चयन बीम आकार, युग्मन विधि और अनुप्रयोग की बैंडविड्थ आवश्यकताओं पर निर्भर करता है।

प्रश्न: यह 5 मिमी InGaAs फोटोडायोड किस तरंग दैर्ध्य रेंज का पता लगा सकता है?

ए: यह InGaAs पिन फोटोडायोड 900 एनएम से 1650 एनएम तक एक व्यापक वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया प्रदान करता है, जो ओ-बैंड (1260-1360 एनएम), सी-बैंड (1530-1565 एनएम), और एल-बैंड (1565-1625 एनएम) सहित आमतौर पर उपयोग किए जाने वाले ऑप्टिकल तरंग दैर्ध्य को कवर करता है। जवाबदेही 1310nm (0.9A/W विशिष्ट) और 1550nm (0.95A/W विशिष्ट) पर निर्दिष्ट है। यह इस सीमा के भीतर ऑप्टिकल पावर माप, लेजर मॉनिटरिंग, सेंसिंग, स्पेक्ट्रोस्कोपी और ऑप्टिकल इंस्ट्रूमेंटेशन जैसे एनआईआर डिटेक्शन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

प्रश्न: न्यूनतम ऑर्डर मात्रा (एमओक्यू) क्या है?

उत्तर: 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 के लिए MOQ 1 इकाई है। हम आर एंड डी और प्रोटोटाइप के लिए एकल इकाइयों से लेकर उपकरण उत्पादन और ओईएम कार्यक्रमों के लिए बड़ी मात्रा में लचीली ऑर्डर मात्रा का समर्थन करते हैं। अपनी आवश्यक मात्रा के आधार पर मूल्य निर्धारण के लिए हमारी बिक्री टीम से संपर्क करें।

ऑपरेशन नोट्स और हैंडलिंग

· फोटोडायोड को संभालते समय उचित ईएसडी सुरक्षा प्रक्रियाओं का पालन करें।

· लीड या ऑप्टिकल विंडो को नंगी उंगलियों से छूने से बचें।

· अप्रयुक्त उपकरणों को ईएसडी-सुरक्षित पैकेजिंग या प्रवाहकीय ट्रे में संग्रहित करें।

· डेटाशीट में निर्दिष्ट पूर्ण अधिकतम वोल्टेज और तापमान रेटिंग से अधिक न हो।

· ऑप्टिकल विंडो को आईपीए और लिंट-फ्री स्वैब से सावधानीपूर्वक तभी साफ करें जब यह विंडो सामग्री के अनुकूल हो।

· सही ध्रुवता का निरीक्षण करें और एप्लिकेशन सर्किट के अनुसार शून्य-पूर्वाग्रह या रिवर्स-पूर्वाग्रह ऑपरेशन का उपयोग करें।

· एफडब्ल्यू संस्करण के लिए, इष्टतम पहचान के लिए घटना बीम को सक्रिय क्षेत्र पर केन्द्रित करें; 5 मिमी सक्रिय क्षेत्र उदार संरेखण सहिष्णुता प्रदान करता है।

· सोल्डरिंग और असेंबली के दौरान लीड पर अत्यधिक यांत्रिक तनाव से बचें।

संबंधित उत्पाद

· 1 मिमी सक्रिय क्षेत्र InGaAs पिन फोटोडायोड (मॉडल: BPD-1STO46B-BL बॉल लेंस के साथ और BPD-1STO46B-FW फ्लैट विंडो के साथ)

· 2 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 (मॉडल: BPD-2STO5B-FW)

· 3 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 (मॉडल: BPD-3STO5B-FW)

· समाक्षीय पिगटेल्ड InGaAs पिन फोटोडायोड डिटेक्टर

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हॉट टैग: चीन 5 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO5 निर्माता, आपूर्तिकर्ता, फैक्टरी
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  • पता

    कमरा 901, बिल्डिंग ए, रोंगचाओ न्यू एरा प्लाजा, नंबर 3 लैनकिंग 1 रोड, लुहु समुदाय, गुआनहु उपजिला, लोंगहुआ जिला, शेन्ज़ेन, 518110, चीन

  • टेलीफोन

    +86-13322933691

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