1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

उत्पाद अवलोकन-1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

बॉक्स ऑप्ट्रोनिक्स का 1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड (मॉडल BPD-1STO46B-FW) एक उच्च प्रदर्शन वाला InGaAs फोटोडिटेक्टर है जिसे निकट-अवरक्त (NIR) पहचान अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। एक पिन डायोड संरचना की विशेषता के साथ, यह 900-1650 एनएम तरंग दैर्ध्य रेंज में घटना ऑप्टिकल शक्ति को उच्च रैखिकता और संवेदनशीलता के साथ आनुपातिक फोटोवर्तमान में परिवर्तित करता है। 1 मिमी व्यास वाले सक्रिय क्षेत्र की विशेषता। एक सपाट ऑप्टिकल विंडो के साथ एक हेमेटिक TO46 मेटल कैन में पैक किया गया, फोटोडायोड यांत्रिक रूप से मजबूत है, जो औद्योगिक और प्रयोगशाला स्थितियों की मांग में स्थिर प्रदर्शन सुनिश्चित करता है। ये विशेषताएँ इसे ऑप्टिकल पावर मॉनिटरिंग, फाइबर ऑप्टिक परीक्षण माप, लेजर डिटेक्शन और एनआईआर स्पेक्ट्रोस्कोपी के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प बनाती हैं।

प्रमुख विशेषताएँ-1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

• सक्रिय क्षेत्र का व्यास: कुशल प्रकाश संग्रह के लिए 1 मिमी

• विस्तृत वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया रेंज: 900 एनएम से 1650 एनएम

• उच्च प्रतिक्रिया: 1310nm पर 0.9A/W, 1550nm पर 0.95A/W

• अल्ट्रा-लो डार्क करंट, कम जंक्शन कैपेसिटेंस

• उच्च विश्वसनीयता और दीर्घकालिक स्थिरता

• हर्मेटिक TO46 फ्लैट-विंडो मेटल पैकेज

• आसान माउंटिंग के लिए मानक टू-कैन कॉन्फ़िगरेशन

विशिष्ट अनुप्रयोग-1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

• ऑप्टिकल पावर मीटर और ऑप्टिकल पावर मॉनिटरिंग मॉड्यूल

• फाइबर ऑप्टिक परीक्षण और माप उपकरण

• टेलीकॉम सिस्टम में ऑप्टिकल सिग्नल डिटेक्शन और पावर मॉनिटरिंग

• निकट-अवरक्त (एनआईआर) स्पेक्ट्रोस्कोपी और विश्लेषणात्मक उपकरण

• लेजर पावर मॉनिटरिंग और नियंत्रण प्रणाली

•ऑप्टिकल एटेन्यूएटर अंशांकन और लक्षण वर्णन

• फोटोनिक्स प्रयोगशालाओं में अनुसंधान और विकास

• ऑप्टिकल मॉड्यूल एकीकरण और फोटोनिक सबसिस्टम विकास

तकनीकी विशिष्टताएँ-1मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

पूर्ण अधिकतम रेटिंग (टीसी = 25°C)

इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल विशेषताएँ (TC = 25°C)

उत्पाद विवरण-1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

InGaAs पिन फोटोडायोड क्या है?

InGaAs PIN फोटोडायोड एक उच्च-संवेदनशीलता अर्धचालक डिटेक्टर है जिसे निकट-अवरक्त (NIR) ऑप्टिकल पहचान के लिए डिज़ाइन किया गया है। पी-आई-एन सेमीकंडक्टर संरचना के आधार पर, यह उत्कृष्ट रैखिकता और स्थिरता के साथ घटना फोटॉन को फोटोकरंट में परिवर्तित करता है।

900nm से 1700nm तक संचालित, InGaAs फोटोडायोड ऑप्टिकल संचार बैंड और SWIR क्षेत्र में उच्च प्रतिक्रिया प्रदान करते हैं, जो उन्हें फाइबर ऑप्टिक परीक्षण, ऑप्टिकल पावर मॉनिटरिंग, स्पेक्ट्रोस्कोपी और सेंसिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं।

1 मिमी सक्रिय क्षेत्र उन्नत प्रकाश संग्रह क्षमता और बेहतर युग्मन सहनशीलता प्रदान करता है, जो संवेदनशीलता, संरेखण लचीलेपन और पहचान गति के बीच एक उत्कृष्ट संतुलन प्रदान करता है।

प्रदर्शन हाइलाइट्स-1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

• उच्च जवाबदेही और क्वांटम दक्षता

• अल्ट्रा-लो डार्क करंट

• कम क्षमता और तेज़ प्रतिक्रिया

• वाइड स्पेक्ट्रल कवरेज

• हर्मेटिक TO46 पैकेज

पैकेज आयाम और पिन परिभाषा-1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

पैकेज प्रकार: TO46 हर्मेटिक मेटल कैन, फ्लैट विंडो (टू-कैन 3-पिन)

कैन व्यास: φ5.4 ± 0.2 मिमी (बाहरी), φ4.7 ± 0.1 मिमी (आंतरिक)

विंडो व्यास: φ3.9 ± 0.1 मिमी

पिन कॉन्फ़िगरेशन (निचला दृश्य):पिन 1 = एनोड (पी-साइड), पिन 2 = केस (जीएनडी), पिन 3 = कैथोड (एन-साइड)

आदेश की जानकारी

मॉडल नामकरण

बीपीडी - एक्स एक्स से एक्सएक्स - एक्स - एक्स

उदाहरण: BPD-1STO46B-FW

डेटाशीट-1मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

डेटा शीट

समय सीमा

• मानक इकाइयाँ (स्टॉक में मौजूद मॉडल): 3~5 कार्य दिवस

• मानक उत्पादन: 10~15 कार्य दिवस

• वॉल्यूम ऑर्डर: कृपया उत्पादन शेड्यूल के लिए संपर्क करें

• अंतरराष्ट्रीय शिपिंग: ~5 कार्य दिवस (डीएचएल/यूपीएस/फेडएक्स एक्सप्रेस)

• शीघ्र सेवा: अनुरोध पर उपलब्ध

ऑपरेशन नोट्स और हैंडलिंग-1 मिमी InGaAs पिन फोटोडायोड TO46

• फोटोडायोड इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) संवेदनशील उपकरण हैं - हमेशा उचित ईएसडी सुरक्षा का उपयोग करें

• संदूषण और ईएसडी क्षति को रोकने के लिए लीड को सीधे नंगी उंगलियों से छूने से बचें

• इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज क्षति को रोकने के लिए अप्रयुक्त उपकरणों को ईएसडी-सुरक्षित पैकेजिंग या प्रवाहकीय ट्रे में रखें